1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006, 1N4007
http://onsemi.com
3
1
0.1
0.5 0.6 0.7
0.8 0.9 1.1 1.21
VF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 1. Typical Forward Voltage Figure 2. Typical Reverse Current
10
I
F
, FORWARD CURRENT (A)
TC
= 25
°C
TC
= 150
°C
TC
= 100
°C
1.0E?09
0 100 200 300 400 500
600 700 900 1000800
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 3. Typical Capacitance
I
R
, REVERSE CURRENT (A)
TC
= 25
°C
TC
= 150
°C
TC
= 100
°C
1.0E?08
1.0E?07
1.0E?06
1.0E?05
1.0E?04
100
1
0 20 40 60 80 100
120 140 180 200160
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
10
C, CAPACITANCE (pF)
TJ
= 25
°C
*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
1N4007G-T RECTIFIER GPP 1000V 1A DO-41
1N4007T-G DIODE 1000V 1A DO-41
1N4048R DIODE STD REC 250V 275A DO-9
1N4056R RECTIFIER STUD 1000V 275A DO-9
1N4148-G DIODE FAST SW 150MA 75V DO-35
1N4148-T DIODE SWITCHING 75V 500MW DO-35
1N4148W-13-F DIODE 100V 150MA SOD123
1N4148WT-7 DIODE SWITCH 100V 150MW SOD-523
相关代理商/技术参数
1N4006G 功能描述:整流器 800V 1A Standard RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
1N4006-G 功能描述:整流器 VR=800V, IO=1A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
1N4006G A0G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 800V 不同?Vr,F 时的电容:10pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,000
1N4006G B0G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 800V 不同?Vr,F 时的电容:10pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,000
1N4006G BK 功能描述:DIODE GEN PURPOSE DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:* 零件状态:生命周期结束 标准包装:2,000
1N4006G R0G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 800V 不同?Vr,F 时的电容:10pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5,000
1N4006G R1G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 800V 不同?Vr,F 时的电容:10pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5,000
1N4006G-B 功能描述:整流器 Vr/800V Io/1A BULK RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel